Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Hardwareverschlüsselung
Ja
NAND-Flash-Speichertyp
3D triple-level cell (TLC)
Schnittstelle
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Merkmale
3D NAND-Technologie mit 176 Layern, End-to-End-Datenpfadschutz, Advanced ECC Engine, einstellbare thermische Überwachung, erweiterte Datenverwaltung bei Stromausfall, S.M.A.R.T.
Leistung
Laufwerkaufzeichnungen pro Tag
0.9
Laufwerkklasse
Read Intensive
Interner Datendurchsatz
5000 MBps (lesen)/ 700 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read
280000 IOPS
4 KB Random Write
40000 IOPS
Zuverlässigkeit
Nicht-korrigierbare Datenfehler
1 pro 10^17
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
1 x PCI Express 4.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Kompatibles Schaltfeld
M.2 2280
Stromversorgung
Energieverbrauch
7 Watt (Lesen)
4.5 Watt (Schreiben)
Verschiedenes
Kennzeichnung
EN 55032, EN 55024: Class B, RoHS, FCC CFR 47 Part 15 Class B, UL/cUL, UL-60950-1 2nd Edition, IEC 60950-1:2005 Second Edition, EN 60950-1, EN 60950-1:2006+A11:2009+A1:2010+A12:2011+A2:2013, CNS 13438 Class B, CNS 15663, AS/NZS CISPR32 Class B, KN32 Class B, KN35 Class B, WEEE 2012/19/EC, TUV, IEC 60950, EN 60950, VCCI 2015.04 Class B, ICES-003 Class B, EN55024 Class B, UkrSEPRO, UKCA Class B, SI 2012/3032 RoHS
Herstellergarantie
Service und Support
Begrenzte Garantie - Austausch - 1 Jahr
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Min. Lagertemperatur
-40 °C
Max. Lagertemperatur
85 °C
Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb
5 - 95 % (nicht kondensierend)
Schocktoleranz (nicht in Betrieb)
1500 g @ 0,5 ms
Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb)
20 gRMS @ 5-3000 Hz
